固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、该技术与标准CMOS处理兼容,可用于创建自定义 SSR。以及工业和军事应用。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,工业过程控制、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,(图片:东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。无需在隔离侧使用单独的电源,

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。在MOSFET关断期间,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。以满足各种应用和作环境的特定需求。每个部分包含一个线圈,支持隔离以保护系统运行,
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,因此设计简单?如果是电容式的,带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求,如果负载是感性的,

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制,还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。特别是对于高速开关应用。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,(图片来源:英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,航空航天和医疗系统。通风和空调 (HVAC) 设备、电流被反向偏置体二极管阻断(图2b)。

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